BSZ12DN20NS3G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSZ12DN20NS3G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TSDSON-8 |
Serie | OptiMOS™ 3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.3A (Tc) |
BSZ12DN20NS3G Einzelheiten PDF [English] | BSZ12DN20NS3G PDF - EN.pdf |
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